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制造商零件编号: | FDD3510H |
制造商: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
部分说明: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252 |
数据表: | FDD3510H 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | PowerTrench® |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件状态 | Active |
场型 | N and P-Channel, Common Drain |
FET 功能 | Logic Level Gate |
漏源电压 (vdss) | 80V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 4.3A, 2.8A |
rds on (max) @ id, vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 18nC @ 10V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 800pF @ 40V |
功率 - 最大 | 1.3W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
包装/箱 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
供应商设备包 | TO-252-4L |