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ROHM Semiconductor / BSM180D12P2E002
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BSM180D12P2E002
| 制造商零件编号: | BSM180D12P2E002 |
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
| 部分说明: | 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO |
| 数据表: | BSM180D12P2E002 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Bulk |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 功能 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏源电压 (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 204A (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 35.2mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 18000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1360W (Tc) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包装/箱 | Module |
| 供应商设备包 | Module |
购买选项
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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