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制造商零件编号: | SI3467DV-T1-GE3 |
制造商: | Vishay / Siliconix |
部分说明: | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP |
数据表: | SI3467DV-T1-GE3 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | TrenchFET® |
包裹 | Tape & Reel (TR) |
零件状态 | Active |
场型 | P-Channel |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (vdss) | 20 V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 3.8A (Ta) |
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs | 54mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 3V @ 250µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 13 nC @ 10 V |
vgs(最大) | ±20V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | - |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 1.14W (Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
供应商设备包 | 6-TSOP |
包装/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
库存状况: 当天发货
最低限度: 1
数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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