图片仅供参考,请联系我们获取实物图片
| 制造商零件编号: | ISP26DP06NMSATMA1 |
| 制造商: | IR (Infineon Technologies) |
| 部分说明: | MOSFET P-CH 60V SOT223 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 60 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 1.9A (Ta) |
| 驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | - |
| rds on (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ id | - |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs(最大) | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | - |
| FET 功能 | - |
| 功耗(最大) | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | PG-SOT223 |
| 包装/箱 | TO-261-3 |