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Rochester Electronics / FCP600N65S3R0
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FCP600N65S3R0
| 制造商零件编号: | FCP600N65S3R0 |
| 制造商: | Rochester Electronics |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 |
| 数据表: | FCP600N65S3R0 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | SuperFET® III |
| 包裹 | Bulk |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 650 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 6A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 600µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 11 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±30V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 465 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 54W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-220-3 |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
购买选项
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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Rochester Electronics |
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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
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