Choose a language
+1(337)-398-8111
Live-Chat
订单跟踪
简体中文
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN5900CNH,L1Q
图片仅供参考，请联系我们获取实物图片
TPN5900CNH,L1Q
| 制造商零件编号: | TPN5900CNH,L1Q |
| 制造商: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON |
| 数据表: | TPN5900CNH,L1Q 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 评论
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN5900CNH,L1Q 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
所有电子元件都将通过 ESD 抗静电保护非常安全地包装。
规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 150 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 9A (Ta) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 59mOhm @ 4.5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 200µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 7 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±20V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 600 pF @ 75 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
购买选项
库存状况: 1972
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
||
运费计算
联邦快递 40 美元。
3-5天到达
快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
人气款
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
加入购物车！
这件商品已经加入你的购物车了。