图片仅供参考,请联系我们获取实物图片
制造商零件编号: | SCTH35N65G2V-7 |
制造商: | STMicroelectronics |
部分说明: | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件状态 | Active |
场型 | N-Channel |
技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
漏源电压 (vdss) | 650 V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 45A (Tc) |
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | 18V, 20V |
rds on (max) @ id, vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
vgs(th) (max) @ id | 3.2V @ 1mA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 73 nC @ 20 V |
vgs(最大) | +22V, -10V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 1370 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 208W (Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
供应商设备包 | H2PAK-7 |
包装/箱 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |