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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQB50N06LTM
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FQB50N06LTM
| 制造商零件编号: | FQB50N06LTM |
| 制造商: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK |
| 数据表: | FQB50N06LTM 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB50N06LTM 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | QFET® |
| 包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 60 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 52.4A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 21mOhm @ 26.2A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 32 nC @ 5 V |
| vgs（最大） | ±20V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 1630 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 3.75W (Ta), 121W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | D²PAK (TO-263AB) |
| 包装/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
购买选项
库存状况: 193
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
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联邦快递 40 美元。
3-5天到达
快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
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