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制造商零件编号: | DI012N60D1 |
制造商: | Diotec Semiconductor |
部分说明: | MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 |
数据表: | DI012N60D1 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tape & Reel (TR) |
零件状态 | Active |
场型 | N-Channel |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (vdss) | 600 V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 12A (Tc) |
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | 10V |
rds on (max) @ id, vgs | 260mOhm @ 8A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 25 nC @ 10 V |
vgs(最大) | ±30V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 1210 pF @ 150 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 130W (Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
供应商设备包 | TO-252-3, DPak |
包装/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |