Rectron USA / RM21N650T2
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RM21N650T2
| 制造商零件编号: | RM21N650T2 |
| 制造商: | Rectron USA |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Tube |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 650 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 21A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 10.5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs（最大） | ±30V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 2600 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 188W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-220-3 |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
库存状况: 当天发货
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
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运费计算
联邦快递 40 美元。
3-5天到达
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