GA05JT12-247

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package

规格

类型	描述
系列	-
包裹	Tube
零件状态	Obsolete
场型	-
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (vdss)	1200 V
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c	5A (Tc)
驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启）	-
rds on (max) @ id, vgs	280mOhm @ 5A
vgs(th) (max) @ id	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs	-
vgs（最大）	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds	-
FET 功能	-
功耗（最大）	106W (Tc)
工作温度	175°C (TJ)
安装类型	Through Hole
供应商设备包	TO-247AB
包装/箱	TO-247-3

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