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GeneSiC Semiconductor / GA06JT12-247

GA06JT12-247

制造商零件编号: GA06JT12-247
制造商: GeneSiC Semiconductor
部分说明: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
数据表: GA06JT12-247 数据表
无铅状态 / RoHS 状态: 无铅/符合 RoHS
库存状况: 有现货
发货地: Hong Kong
发货方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

规格
类型 描述
系列-
包裹Tube
零件状态Obsolete
场型-
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (vdss)1200 V
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c6A (Tc) (90°C)
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启)-
rds on (max) @ id, vgs220mOhm @ 6A
vgs(th) (max) @ id-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs-
vgs(最大)-
输入电容 (ciss) (max) @ vds-
FET 功能-
功耗(最大)-
工作温度175°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商设备包TO-247AB
包装/箱TO-247-3
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GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor

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