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ROHM Semiconductor / SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

制造商零件编号: SCT2H12NYTB
制造商: ROHM Semiconductor
部分说明: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
数据表: SCT2H12NYTB 数据表
无铅状态 / RoHS 状态: 无铅/符合 RoHS
库存状况: 有现货
发货地: Hong Kong
发货方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

规格
类型 描述
系列-
包裹Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
零件状态Active
场型N-Channel
技术SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss)1700 V
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c4A (Tc)
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启)18V
rds on (max) @ id, vgs1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (max) @ id4V @ 410µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs14 nC @ 18 V
vgs(最大)+22V, -6V
输入电容 (ciss) (max) @ vds184 pF @ 800 V
FET 功能-
功耗(最大)44W (Tc)
工作温度175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包TO-268
包装/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
购买选项

库存状况: 647

最低限度: 1

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