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ROHM Semiconductor / BSM180C12P2E202
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BSM180C12P2E202
| 制造商零件编号: | BSM180C12P2E202 |
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
| 部分说明: | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE |
| 数据表: | BSM180C12P2E202 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Tray |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 漏源电压 (vdss) | 1200 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 204A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | - |
| rds on (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 35.2mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs（最大） | +22V, -6V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 20000 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 1360W (Tc) |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 供应商设备包 | Module |
| 包装/箱 | Module |
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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