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STMicroelectronics / SCTWA90N65G2V-4
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SCTWA90N65G2V-4
| 制造商零件编号: | SCTWA90N65G2V-4 |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 部分说明: | TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247 |
| 数据表: | SCTWA90N65G2V-4 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Tube |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 漏源电压 (vdss) | 650 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 119A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | - |
| rds on (max) @ id, vgs | 24mOhm @ 50A, 18V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 1mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 157 nC @ 18 V |
| vgs（最大） | +22V, -10V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 3380 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 565W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | HiP247™ Long Leads |
| 包装/箱 | TO-247-3 |
购买选项
库存状况: 63
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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