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制造商零件编号: | TK065N65Z,S1F |
制造商: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
部分说明: | MOSFET N-CH 650V 38A TO247 |
数据表: | TK065N65Z,S1F 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | DTMOSVI |
包裹 | Tube |
零件状态 | Active |
场型 | N-Channel |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (vdss) | 650 V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 38A (Ta) |
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | 10V |
rds on (max) @ id, vgs | 65mOhm @ 19A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 1.69mA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 62 nC @ 10 V |
vgs(最大) | ±30V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 3650 pF @ 300 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 270W (Tc) |
工作温度 | 150°C |
安装类型 | Through Hole |
供应商设备包 | TO-247 |
包装/箱 | TO-247-3 |