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制造商零件编号: | SCT10N120AG |
制造商: | STMicroelectronics |
部分说明: | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 |
数据表: | SCT10N120AG 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包裹 | Tube |
零件状态 | Active |
场型 | N-Channel |
技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
漏源电压 (vdss) | 1200 V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 12A (Tc) |
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | 20V |
rds on (max) @ id, vgs | 690mOhm @ 6A, 20V |
vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 250µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 20 V |
vgs(最大) | +25V, -10V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 290 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 150W (Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
供应商设备包 | HiP247™ |
包装/箱 | TO-247-3 |