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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQU13N06LTU-WS
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FQU13N06LTU-WS
| 制造商零件编号: | FQU13N06LTU-WS |
| 制造商: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK |
| 数据表: | FQU13N06LTU-WS 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 评论
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQU13N06LTU-WS 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | QFET® |
| 包裹 | Tube |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 60 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 11A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 115mOhm @ 5.5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| vgs（最大） | ±20V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 350 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | I-PAK |
| 包装/箱 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
购买选项
库存状况: 35400
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
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联邦快递 40 美元。
3-5天到达
快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
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