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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK30S06K3L(T6L1,NQ
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TK30S06K3L(T6L1,NQ
| 制造商零件编号: | TK30S06K3L(T6L1,NQ |
| 制造商: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| 数据表: | TK30S06K3L(T6L1,NQ 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK30S06K3L(T6L1,NQ 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | U-MOSIV |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 60 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 30A (Ta) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 18Ohm @ 15A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 3V @ 1mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 28 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±20V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 1350 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 58W (Tc) |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | DPAK+ |
| 包装/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
购买选项
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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