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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / HN4K03JUTE85LF
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HN4K03JUTE85LF
| 制造商零件编号: | HN4K03JUTE85LF |
| 制造商: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 20V 100MA USV |
| 数据表: | HN4K03JUTE85LF 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4K03JUTE85LF 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 零件状态 | Obsolete |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 20 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 100mA (Ta) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 2.5V |
| rds on (max) @ id, vgs | 12Ohm @ 10mA, 2.5V |
| vgs(th) (max) @ id | - |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs（最大） | 10V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 8.5 pF @ 3 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 200mW (Ta) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备包 | USV |
| 包装/箱 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
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