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GeneSiC Semiconductor / G2R1000MT17D
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G2R1000MT17D
| 制造商零件编号: | G2R1000MT17D |
| 制造商: | GeneSiC Semiconductor |
| 部分说明: | SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 |
| 数据表: | G2R1000MT17D 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | G2R™ |
| 包裹 | Tube |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 漏源电压 (vdss) | 1700 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 4A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 20V |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 2mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs（最大） | +20V, -5V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 139 pF @ 1000 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 53W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-247-3 |
| 包装/箱 | TO-247-3 |
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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