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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK6A60D(STA4,Q,M)
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TK6A60D(STA4,Q,M)
| 制造商零件编号: | TK6A60D(STA4,Q,M) |
| 制造商: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS |
| 数据表: | TK6A60D(STA4,Q,M) 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK6A60D(STA4,Q,M) 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | π-MOSVII |
| 包裹 | Tube |
| 零件状态 | Last Time Buy |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 600 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 6A (Ta) |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 16 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±30V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 40W (Tc) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | TO-220SIS |
| 包装/箱 | TO-220-3 Full Pack |
购买选项
库存状况: 1797
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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价格不可用，请询价 |
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快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
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