图片仅供参考,请联系我们获取实物图片
制造商零件编号: | FGH60T65SQD-F155 |
制造商: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
部分说明: | IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3 |
数据表: | FGH60T65SQD-F155 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tube |
零件状态 | Active |
igbt类型 | Trench Field Stop |
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (ic) (max) | 120 A |
电流 - 集电极脉冲 (icm) | 240 A |
vce(on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 60A |
功率 - 最大 | 333 W |
开关能量 | 227µJ (on), 100µJ (off) |
输入类型 | Standard |
栅极电荷 | 79 nC |
td(开/关)@ 25°c | 20.8ns/102ns |
测试条件 | 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 34.6 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
包装/箱 | TO-247-3 |
供应商设备包 | TO-247-3 |
库存状况: 183
最低限度: 1
数量 | 单价 | 分机 价钱 |
---|---|---|
![]() 价格不可用,请询价 |
联邦快递 40 美元。
3-5天到达
快递:(FEDEX、UPS、DHL、TNT)订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费,超重将另行收费