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制造商零件编号: | RGT8NS65DGC9 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
部分说明: | IGBT |
数据表: | RGT8NS65DGC9 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | - |
包裹 | Tube |
零件状态 | Active |
igbt类型 | Trench Field Stop |
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (ic) (max) | 8 A |
电流 - 集电极脉冲 (icm) | 12 A |
vce(on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 4A |
功率 - 最大 | 65 W |
开关能量 | - |
输入类型 | Standard |
栅极电荷 | 13.5 nC |
td(开/关)@ 25°c | 17ns/69ns |
测试条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 40 ns |
工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
包装/箱 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商设备包 | TO-262 |