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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

制造商零件编号: GT30J121(Q)
制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
部分说明: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
无铅状态 / RoHS 状态: 无铅/符合 RoHS
库存状况: 有现货
发货地: Hong Kong
发货方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

规格
类型 描述
系列*
包裹Tube
零件状态Active
igbt类型-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)600 V
电流 - 集电极 (ic) (max)30 A
电流 - 集电极脉冲 (icm)60 A
vce(on) (max) @ vge, ic2.45V @ 15V, 30A
功率 - 最大170 W
开关能量1mJ (on), 800µJ (off)
输入类型Standard
栅极电荷-
td(开/关)@ 25°c90ns/300ns
测试条件300V, 30A, 24Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr)-
工作温度-
安装类型Through Hole
包装/箱TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备包TO-3P(N)
购买选项

库存状况: 当天发货

最低限度: 1

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人气款
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GT30J121(Q)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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GT30J341,Q

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