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制造商零件编号: | ALD1110EPAL |
制造商: | Advanced Linear Devices, Inc. |
部分说明: | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
数据表: | ALD1110EPAL 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | EPAD® |
包裹 | Tube |
零件状态 | Active |
场型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET 功能 | Standard |
漏源电压 (vdss) | 10V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | - |
rds on (max) @ id, vgs | 500Ohm @ 5V |
vgs(th) (max) @ id | 1.01V @ 1µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 2.5pF @ 5V |
功率 - 最大 | 600mW |
工作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
包装/箱 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
供应商设备包 | 8-PDIP |
库存状况: 当天发货
最低限度: 1
数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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