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制造商零件编号: | EPC2107 |
制造商: | EPC |
部分说明: | GANFET 3 N-CH 100V 9BGA |
数据表: | EPC2107 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
---|---|
系列 | eGaN® |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件状态 | Active |
场型 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET 功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏源电压 (vdss) | 100V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 1.7A, 500mA |
rds on (max) @ id, vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
功率 - 最大 | - |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
包装/箱 | 9-VFBGA |
供应商设备包 | 9-BGA (1.35x1.35) |