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Vishay / Siliconix / SIZ320DT-T1-GE3
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SIZ320DT-T1-GE3
| 制造商零件编号: | SIZ320DT-T1-GE3 |
| 制造商: | Vishay / Siliconix |
| 部分说明: | MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 |
| 数据表: | SIZ320DT-T1-GE3 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- Vishay / Siliconix SIZ320DT-T1-GE3 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| 包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 功能 | Standard |
| 漏源电压 (vdss) | 25V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大 | 16.7W, 31W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装/箱 | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备包 | 8-Power33 (3x3) |
购买选项
库存状况: 747
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
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快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
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