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Texas Instruments / TPS1120DR

TPS1120DR

制造商零件编号: TPS1120DR
制造商: Texas Instruments
部分说明: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
数据表: TPS1120DR 数据表
无铅状态 / RoHS 状态: 无铅/符合 RoHS
库存状况: 有现货
发货地: Hong Kong
发货方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

规格
类型 描述
系列-
包裹Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
零件状态Active
场型2 P-Channel (Dual)
FET 功能Logic Level Gate
漏源电压 (vdss)15V
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c1.17A
rds on (max) @ id, vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs5.45nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds-
功率 - 最大840mW
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包8-SOIC
购买选项

库存状况: 2224

最低限度: 1

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