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制造商零件编号: | TPS1120DR |
制造商: | Texas Instruments |
部分说明: | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
数据表: | TPS1120DR 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件状态 | Active |
场型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 功能 | Logic Level Gate |
漏源电压 (vdss) | 15V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 1.17A |
rds on (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 5.45nC @ 10V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | - |
功率 - 最大 | 840mW |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
供应商设备包 | 8-SOIC |