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制造商零件编号: | PMGD8000LN,115 |
制造商: | NXP Semiconductors |
部分说明: | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
数据表: | PMGD8000LN,115 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | TrenchMOS™ |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件状态 | Obsolete |
场型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 功能 | Logic Level Gate |
漏源电压 (vdss) | 30V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 125mA |
rds on (max) @ id, vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 100µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 0.35nC @ 4.5V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 18.5pF @ 5V |
功率 - 最大 | 200mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
包装/箱 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
供应商设备包 | 6-TSSOP |