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ROHM Semiconductor / VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

制造商零件编号: VT6M1T2CR
制造商: ROHM Semiconductor
部分说明: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
数据表: VT6M1T2CR 数据表
无铅状态 / RoHS 状态: 无铅/符合 RoHS
库存状况: 有现货
发货地: Hong Kong
发货方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

规格
类型 描述
系列-
包裹Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
零件状态Active
场型N and P-Channel
FET 功能Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏源电压 (vdss)20V
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c100mA
rds on (max) @ id, vgs3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id1V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs-
输入电容 (ciss) (max) @ vds7.1pF @ 10V
功率 - 最大120mW
工作温度150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包装/箱6-SMD, Flat Leads
供应商设备包VMT6
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VT6M1T2CR

ROHM Semiconductor

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