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制造商零件编号: | NTE2960 |
制造商: | NTE Electronics, Inc. |
部分说明: | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT |
数据表: | NTE2960 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Bag |
零件状态 | Active |
场型 | 2 N-Channel |
FET 功能 | Standard |
漏源电压 (vdss) | 900V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 7A |
rds on (max) @ id, vgs | 2Ohm @ 3A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 1mA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | - |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 1380pF @ 25V |
功率 - 最大 | 40W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
安装类型 | Through Hole |
包装/箱 | TO-220-3 Full Pack |
供应商设备包 | TO-220 Full Pack |