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IR (Infineon Technologies) / FF6MR12W2M1B11BOMA1
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FF6MR12W2M1B11BOMA1
| 制造商零件编号: | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| 制造商: | IR (Infineon Technologies) |
| 部分说明: | MOSFET MODULE 1200V 200A |
| 数据表: | FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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- IR (Infineon Technologies) FF6MR12W2M1B11BOMA1 可在chipnets.com 上获得。我们只销售新的和原件，并提供 1 年的保修期。如果您想了解更多关于产品的信息或申请更优惠的价格，请点击在线聊天或发送报价给我们联系我们。
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | CoolSiC™+ |
| 包裹 | Tray |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 功能 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏源电压 (vdss) | 1200V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 200A (Tj) |
| rds on (max) @ id, vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| vgs(th) (max) @ id | 5.55V @ 10mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 496nC @ 15V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 14700pF @ 800V |
| 功率 - 最大 | 20mW (Tc) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包装/箱 | Module |
| 供应商设备包 | AG-EASY2BM-2 |
购买选项
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
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价格不可用，请询价 |
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