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Rochester Electronics / NCV33152DR2G
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NCV33152DR2G
| 制造商零件编号: | NCV33152DR2G |
| 制造商: | Rochester Electronics |
| 部分说明: | BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI |
| 数据表: | NCV33152DR2G 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Bulk |
| 零件状态 | Active |
| 驱动配置 | Low-Side |
| 渠道类型 | Independent |
| 司机人数 | 2 |
| 门型 | N-Channel MOSFET |
| 电压 - 电源 | 6.1V ~ 18V |
| 逻辑电压 - vil, vih | 0.8V, 2.6V |
| 电流 - 峰值输出（源、汇） | 1.5A, 1.5A |
| 输入类型 | Non-Inverting |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 36ns, 32ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包 | 8-SOIC |
购买选项
库存状况: 16794
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| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
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Rochester Electronics |
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