Renesas Electronics America / IDT70P3337S250RM
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IDT70P3337S250RM
| 制造商零件编号: | IDT70P3337S250RM |
| 制造商: | Renesas Electronics America |
| 部分说明: | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA |
| 数据表: | IDT70P3337S250RM 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Tray |
| 零件状态 | Obsolete |
| 内存类型 | Volatile |
| 内存格式 | SRAM |
| 技术 | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
| 内存大小 | 9Mb (512K x 18) |
| 内存接口 | Parallel |
| 时钟频率 | 250 MHz |
| 写循环时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | 6.3 ns |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装/箱 | 576-BBGA, FCBGA |
| 供应商设备包 | 576-FCBGA (25x25) |
库存状况: 当天发货
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
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运费计算
联邦快递 40 美元。
3-5天到达
快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
人气款
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