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制造商零件编号: | G3R20MT17N |
制造商: | GeneSiC Semiconductor |
部分说明: | SIC MOSFET N-CH 100A SOT227 |
数据表: | G3R20MT17N 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | G3R™ |
包裹 | Tube |
零件状态 | Active |
场型 | N-Channel |
技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
漏源电压 (vdss) | 1700 V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 100A (Tc) |
驱动电压(最大 rds 开启,最小 rds 开启) | 15V |
rds on (max) @ id, vgs | 26mOhm @ 75A, 15V |
vgs(th) (max) @ id | 2.7V @ 15mA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 400 nC @ 15 V |
vgs(最大) | ±15V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 10187 pF @ 1000 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 523W (Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 | Chassis Mount |
供应商设备包 | SOT-227 |
包装/箱 | SOT-227-4, miniBLOC |