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Honeywell Aerospace / HTNFET-DC
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HTNFET-DC
| 制造商零件编号: | HTNFET-DC |
| 制造商: | Honeywell Aerospace |
| 部分说明: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| 数据表: | HTNFET-DC 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | HTMOS™ |
| 包裹 | Bulk |
| 零件状态 | Active |
| 场型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (vdss) | 55 V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | - |
| 驱动电压（最大 rds 开启，最小 rds 开启） | 5V |
| rds on (max) @ id, vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 100µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs（最大） | 10V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 290 pF @ 28 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 50W (Tj) |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 供应商设备包 | - |
| 包装/箱 | 8-CDIP Exposed Pad |
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