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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / GT60N321(Q)

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GT60N321(Q)

制造商零件编号: GT60N321(Q)
制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
部分说明: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
数据表: GT60N321(Q) 数据表
无铅状态 / RoHS 状态: 无铅/符合 RoHS
库存状况: 有现货
发货地: Hong Kong
发货方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

规格
类型 描述
系列-
包裹Tube
零件状态Obsolete
igbt类型-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）1000 V
电流 - 集电极 (ic) (max)60 A
电流 - 集电极脉冲 (icm)120 A
vce(on) (max) @ vge, ic2.8V @ 15V, 60A
功率 - 最大170 W
开关能量-
输入类型Standard
栅极电荷-
td（开/关）@ 25°c330ns/700ns
测试条件-
反向恢复时间 (trr)2.5 µs
工作温度150°C (TJ)
安装类型Through Hole
包装/箱TO-3PL
供应商设备包TO-3P(LH)
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GT60N321(Q)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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