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制造商零件编号: | RJM0603JSC-00#12 |
制造商: | Renesas Electronics America |
部分说明: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
数据表: | RJM0603JSC-00#12 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包裹 | Tray |
零件状态 | Active |
场型 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
FET 功能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
漏源电压 (vdss) | 60V |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 20A |
rds on (max) @ id, vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 1mA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 43nC @ 10V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 2600pF @ 10V |
功率 - 最大 | 54W |
工作温度 | 175°C |
安装类型 | Surface Mount |
包装/箱 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
供应商设备包 | 20-HSOP |