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Rochester Electronics / BSM75GB170DN2HOSA1
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BSM75GB170DN2HOSA1
| 制造商零件编号: | BSM75GB170DN2HOSA1 |
| 制造商: | Rochester Electronics |
| 部分说明: | IGBT, 110A I(C), 1700V V(BR)CES, |
| 数据表: | BSM75GB170DN2HOSA1 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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规格
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Bulk |
| 零件状态 | Active |
| igbt类型 | - |
| 配置 | Half Bridge |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） | 1.7 V |
| 电流 - 集电极 (ic) (max) | 110 A |
| 功率 - 最大 | 625 W |
| vce(on) (max) @ vge, ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 输入电容 (cies) @ vce | 11 nF @ 25 V |
| 输入 | Standard |
| ntc热敏电阻 | No |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包装/箱 | Module |
| 供应商设备包 | Module |
购买选项
库存状况: 1015
最低限度: 1
| 数量 | 单价 | 分机 价钱 |
|---|---|---|
价格不可用，请询价 |
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3-5天到达
快递：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）订单满 150 美元前 0.5 公斤免运费，超重将另行收费
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