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| 制造商零件编号: | CSD75211W1723 |
| 制造商: | Rochester Electronics |
| 部分说明: | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| 数据表: | CSD75211W1723 数据表 |
| 无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
| 库存状况: | 有现货 |
| 发货地: | Hong Kong |
| 发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | NexFET™ |
| 包裹 | Bulk |
| 零件状态 | Obsolete |
| 场型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| 漏源电压 (vdss) | 20V |
| 电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 4.5A |
| rds on (max) @ id, vgs | 40mOhm @ 2A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.1V @ 250µA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 5.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包装/箱 | 12-UFBGA, DSBGA |
| 供应商设备包 | 12-DSBGA |