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制造商零件编号: | CSD75207W15 |
制造商: | Texas Instruments |
部分说明: | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA |
数据表: | CSD75207W15 数据表 |
无铅状态 / RoHS 状态: | 无铅/符合 RoHS |
库存状况: | 有现货 |
发货地: | Hong Kong |
发货方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
类型 | 描述 |
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系列 | NexFET™ |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件状态 | Active |
场型 | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
FET 功能 | Logic Level Gate |
漏源电压 (vdss) | - |
电流 - 持续消耗 (id) @ 25°c | 3.9A |
rds on (max) @ id, vgs | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
vgs(th) (max) @ id | 1.1V @ 250µA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs | 3.7nC @ 4.5V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds | 595pF @ 10V |
功率 - 最大 | 700mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
包装/箱 | 9-UFBGA, DSBGA |
供应商设备包 | 9-DSBGA |